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terça-feira, 23 de outubro de 2007

A nova memória flash da Samsung

A Samsung Electronics Co. anunciou o desenvolvimento de um chip de memória flash mais avançado, com maior capacidade de armazenamento de dados para tocadores de mp3 e outros aparelhos. Maior fabricante mundial de chips de memória para computadores, a empresa apresentou o chip de memória flash de 64 gigabits baseado em um processo tecnológico que usa circuitos com 30 nanômetros de largura. Um nanômetro equivale a um bilionésimo de metro, enquanto um fio de cabelo mede 80.000 nanômetros de diâmetro. O dispositivo de memória flash é um grande passo para se conseguir maior densidade de armazenamento de dados em um momento de demanda explosiva por memórias flash como dispositivo principal de armazenamento em computadores e aplicações digitais.A Samsung tem dado maior importância ao desenvolvimento de chips e considera que este novo chip marca o oitavo ano consecutivo em que a densidade das memórias dobra e o sétimo em que a escala nanométrica melhora a NAND flash.
NAND significa NOT AND, ou "não e", ou, ainda, "sim e não". Este sistema pode armazenar mais dados na mesma área de silicone, em uma grande cadeia de transístores; onde cada um pode abrigar um bit de dados.Essas vantagens são obtidas porque o NAND compartilha algumas áreas comuns dos transístores, o que cria uma cadeia de trasnsístores conectados em série.

O novo processo consome menos energia e armazena muito mais.No entanto, a produção só deverá começar em 2009. A companhia vem reduzido os tamnhos gradativamente: 50 nanômetros, depois 40 e agora, 30.

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